P型氮掺杂ZnO薄膜的光学特性研究
作者：
郭松林，徐小勇，施卫国
来源：
暂无
日期：
暂无
文献类型：
期刊
关键词：
受主掺杂
P型ZnO
红移
磁控溅射
施主缺陷
描述：
以N2为P型掺杂源,利用射频磁控溅射技术,通过改变O2:N2比制备了不同N掺杂量的P型ZnO薄膜,详细研究分析了N掺杂ZnO薄膜的PL谱及电学性能。结果表明,随着O2:N2的变化,不仅薄膜的峰位发生了变化,其强度也进行相应的变化。当O2:N2为10:10时,薄膜具有三个发光峰,且UV峰发光强度最大,此时薄膜呈现出明显的P型特征。
